
弭伟
副教授、硕导
办公地点:29-303
研究方向:宽禁带半导体材料/光电探测器
工作邮箱:miwei@tjlgdx.wecom.work
所在团队名称:先进半导体器件与集成技术
团队负责人:赵金石
可招收硕博专业:电科学硕,集成电路工程专硕
个人简介
弭伟,工学博士,毕业于山东大学,现任3044am永利官网电子科学与技术系系主任,兼任亚洲氧化镓联盟技术专家委员会委员、全国纳米技术标准化技术委员会委员、北京英孚瑞半导体科技有限公司技术专家。现为副教授职务,入选天津市131第三层次人才,并在先进半导体器件及集成技术研究团队。长期深耕于半导体材料与器件技术领域,研究方向为基于氧化镓的宽禁带半导体材料与器件。
主持国家级纵向项目1项、天津市科技计划项目1项、天津市优秀科技特派员项目1项、天津市自然基金青年项目1项;同时承担中科院微电子所、中国工程物理研究院、山东大学、北京英孚瑞半导体科技有限公司等企事业单位委托的横向项目,具备工程实践能力。
在Vacuum、Ceramics International等国际权威期刊发表SCI论文20余篇。授权国际/国内发明专利4项,具备突出的科研及成果转化能力。
致力于集成电路产业发展,积极推动本科及研究生人才培养,依托科研成果,指导本科生获得第八届中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛天津赛区比赛高教主赛道金奖,第九届中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛天津赛区比赛高教主赛道金奖、国家铜奖,第十七届“挑战杯”天津市大学生课外学术科技作品特等奖、国家三等奖。荣获优秀指导教师称号,2023年被评为“2023我最喜爱的科创导师”。近三年,团队青年学生获得国家奖学金2项、天津市政府奖学金2项、理工之星优秀集体奖学金1项、明理奖学金1项、人民一等奖学金3项、人民二等奖学金2项、励志奖学金1项、灿芯奖学金1项,三名研究生获得研究生推免资格,保送至南开大学、东南大学及西安电子科技大学。
紧密结合学生职业发展需求,通过开设行业分析、简历制作等专题课程,实现了学生职业测评全覆盖。其积极搭建校企合作平台,推荐优秀学生进入联合实验室实习,并充分利用自身资源为学生推荐优质就业岗位,全方位助力学生职业发展。
科研项目
1. 天津市自然科学基金,钛掺杂氧化镓外延单晶薄膜的制备、结构及光电性质的研究,主持。
2. 天津市优秀科技特派员项目,基于宽禁带半导体材料紫外探测器及其在环保领域的应用研究环保领域的应用研究 环保领域的应用研究,主持。
3. 天津市重点研发计划,基于智能感知技术的污水处理厂智慧运管技术研究,子课题负责人。
4. 天津市教委自然科学基金,氧化镓/氧化锌叠层薄膜的光电特性调制及机理研究,主持。
5. 横向课题,高质量氧化镓薄膜材料的生长制备研究,主持。
6. 横向课题,倒装芯片电学及热学特性测试芯片加工,主持。
7. 横向课题,光电探测器专用测试系统研发与芯片测试,主持。
指导本科生竞赛获奖情况:
1. 2022年第八届中国国际“互联网+大学生创新创业大赛天津赛区比赛高教主赛道金奖;
2. 2023年第十七届“挑战杯”中国银行天津市大学生课外学术科技作品竞赛特等奖,国家三等奖;
3. 2023年第九届中国国际“互联网+大学生创新创业大赛天津赛区比赛高教主赛道金奖,国家铜奖;
4. 第七届(2023)全国大学生集成电路创新创业大赛华北赛区二等奖;
近三年,团队青年学生获得国家奖学金2项、天津市政府奖学金2项、理工之星优秀集体奖学金1项、明理奖学金1项、人民一等奖学金3项、人民二等奖学金2项、励志奖学金1项、灿芯奖学金1项。
论文
[01]Effect of oxygen flow ratio on crystallization and structural characteristics of gallium oxide thin films. Ceramics International, 2022, 48(3): 3751-3756.
[02]Optoelectronic artificial synapses based on β-Ga2O3 films by RF magnetron sputtering. Vacuum, 2021, 192: 110422.
[03]A solar-blind photodetector based on β-Ga2O3 film deposited on MgO (100) substrates by RF magnetron sputtering. Vacuum, 2020, 180: 109632.
[04]Resistive random access memory based on gallium oxide thin films for self-powered pressure sensor systems. Ceramics International, 2020, 46(13): 21141-21148.
[05]Effect of electrode materials and annealing on metal-semiconductor contact of Ga2O3 with metal. Optoelectronics Letters, 2020, 16(2): 118-121.
[06]Influence of annealing on the structural and optical properties of gallium oxide films deposited on c-sapphire substrate. Vacuum, 2019, 167: 6-9.
[07]Study of the metal-semiconductor contact to ZnO films. Vacuum, 2018, 155: 210-213.
专利
1. 一种雪崩光电探测器的制备方法,发明专利,北京英孚瑞半导体科技有限公司;专利号:ZL202211146889.5。
2. 一种具有双漂移区的雪崩光电探测器的制备方法,发明专利,天津英孚瑞半导体科技有限公司;ZL202211223859.X。
学术兼职
1.亚洲氧化镓联盟技术技术专家委员会委员
2.全国纳米技术标准化技术委员会委员