个人简介

        王迪，工学博士，毕业于山东大学，现任永利3044官网教师。长期深耕于宽禁带半导体材料与器件技术领域，研究方向为氧化镓薄膜的外延生长、氧化镓日盲紫外探测器、功率电子器件及二维晶体管的制备与研究。
        主持和参与包括国家自然科学基金、天津市自然科学基金青年项目、天津市重点研发计划-京津冀协同创新项目、山东省重点研发计划在内的多项纵向科研课题；同时承担天津鹭行科技有限公司、江苏拓微光电科技有限公司、绵阳晶隆贸易有限公司等企业委托的横向项目，具备功率电子器件及光电子器件研发能力。
        在Materials Characterization、Ceramics International、Applied Physics Letters等国际权威期刊发表SCI论文30余篇，论文被引累计逾300次，H指数为11。已申请与授权国内发明专利7项，具备突出的自主创新能力。
        致力于新一代宽禁带产业发展，积极推动宽禁带半导体材料与器件工艺领域人才培养，为区域半导体产业升级提供有力支撑。

科研项目

1.“基于氧化镓/铟镓砷异质结的紫外/近红外双波段光电探测器的制备与性能研究”，天津市自然科学基金青年项目，2022年10月-2024年9月，主持，6万；
2.“基于新一代宽禁带半导体的电力电子系统的研发”，横向项目，2024年6月-2026年6月，主持，100万；
3. “自供电型日盲紫外光电探测器系列产品的研发”，横向项目，2024年7月-2026年7月主持，32万；
4.“2英寸氧化镓外延片制备”，横向项目，2022年10月-2025年10月，主持，3.4万；
5.“氧化镓/砷化镓异质结型紫外/红外双波段光电探测器的研制”，北京大学深圳研究生院广东省纳米微米材料研究重点实验室开放课题，2024年10月-2025年9月，主持，3万；
6.“钛酸锌和锡酸锌单晶薄膜的异质外延生长及性质研究”，国家自然科学基金面上项目，2019年1月-2022年12月，参与，60万；
7.“可用于下一代光电器件的Beta-氧化镓单晶薄膜的制备及性质研究”，山东省重点研发计划，2018年9月-2020年12月，参与，20万。

代表性论文

[1] D. Wang, L. He, X. Ma*, H. Xiao, Y. Le, J. Ma*, Preparation and properties of heteroepitaxial β-Ga2O3 films on KTaO3 (100) substrates by MOCVD, Mater. Charact., 165 (2020) 110391.
[2] D. Wang, L. He, Y. Le, X. Feng, C. Luan, H. Xiao, J. Ma*, Characterization of single crystalβ-Ga2O3 films grown on SrTiO3 (100) substrates by MOCVD, Ceram. Int., 46 (2020) 4568-4572.
[3] D. Wang, X. Ma*, H. Xiao, R. Chen, Y. Le, C. Luan, B. Zhang, J. Ma*, Effect of epitaxial growth rate on morphological, structural and optical properties of β-Ga2O3 films prepared by MOCVD, Mater. Res. Bull., 149 (2022) 111718.
[4] D. Wang, X. Ma*, H. Xiao, Y. Le, J. Ma*, Ta-doped epitaxial β-Ga2O3 films deposited on SrTiO3(100) substrates by MOCVD, Materials Science in Semiconductor Processing, 128 (2021) 105749.
[5] D. Wang, X. Ma*, R. Chen, Y. Le, B. Zhang, H. Xiao, C. Luan, J. Ma*, Solar-blind ultraviolet photodetectors based on Ta-doped β-Ga2O3 heteroepitaxial films, Opt. Mater., 129 (2022) 112491.
[6] D. Wang, H. Xiao*, Y. Le, C. Luan, J. Ma*, Effect of Ta doping on the properties of β-Ga2O3 heteroepitaxial films prepared on KTaO3(100) substrates, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 32 (2021) 2757-2764.
[7] W. Mi, X. Li, Y. Ding, D. Wang*, M. Xu, L. Xiao, X. Zhang, X. Chen, B. Li, L. Luo, J. Zhao*, L. Zhou, J. Yu, Effects of seed layer thickness and post-annealing process on crystalline quality of β-Ga2O3 films prepared on Si (100) substrate by RF magnetron sputtering, Vacuum, 214 (2023) 112235.
[8] W. Mi, B. Li, R. Chen, C. Luan, D. Wang*, L.a. He, L. Zhou, J. Zhao*, Effect of trimethylgallium flow rate on structural and photoelectronic properties of β-Ga2O3 films prepared by MOVPE, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 35 (2024) 209.
[9] W. Mi, J. Tang, X. Chen, X. Li, B. Li, L. Luo, L. Zhou, R. Chen, D. Wang*, J. Zhao*, Preparation and UV detection performance of Ti-doped Ga2O3/intrinsic-Ga2O3/p-Si PIN photodiodes, J. Mater. Sci.-Mater. Electron., 34 (2023) 774.

专利

1. 朱岩；何林安；弭伟；王迪，“一种紫外光和可见光双波段光电探测器及其制备方法”，2024.8.27，中国，ZL202410850899.X