个人简介

        张楷亮，毕业于河北工业大学，获微电子学与固体电子学专业工学博士学位，现任3044am永利官网二级教授（2017年以来）、天津市薄膜电子与通信器件重点实验室主任。现为永利3044官网党委常委、统战部部长，入选教育部新世纪优秀人才、天津市特聘教授、天津市131创新人才第一层次人选、天津市131创新人才团队负责人、天津市学科领军人才，并担任微纳电子器件与系统团队负责人。
        曾在中国科学院上海微系统与信息技术研究所从事科研工作，承担完成相变材料CMP及器件集成关键技术的研发，积累了新型存储器件研发经验。长期深耕于低维材料可控生长及微纳电子器件技术领域，研究方向为微纳电子材料与器件集成技术。
        主持包括国家自然科学基金和天津市自然科学基金重点项目在内省部级以上纵向科研项目13项、其它纵向科研项目9项，参与完成973项目、863项目、国家重点研发计划项目4项；同时承担天津鹭行科技有限公司、环鑫科技有限公司等企业委托的横向项目，具备前沿基础研究和解决工程实际问题的能力。
        以第一作者或通讯作者在Chemical Engineering Journal、ACS Applied Materials & Interfaces、Science China-Materials、IEEE Electron Device Letters等国际权威期刊发表SCI论文120余篇，论文被引累计逾2000余次，H指数为26，入选英国皇家学会TOP1%高被引中国学者榜单、自2021年以来连续入选全球前2%顶尖科学家榜单。以第一发明人获得授权发明专利22项。获得天津市自然科学二等奖1项（排名第一）、天津市技术发明一等奖1项（排名第五）、天津市科技进步二等奖（排名第六），具备突出的科研能力。
        长期致力于半导体材料与器件发展，积极推动集成电路材料与芯片制造创新人才培养，为区域集成电路行业高速发展提供有力支撑。

科研项目

【1】国家自然科学基金，碳纳米管电极交叉阵列阻变存储单元构建及开关特性研究（61274113），2013.01~2016.12，82万；
【2】国家自然科学基金，极大规模集成电路碳纳米管互连基础及关键工艺研究（60806030），2009.1-2011.12，23万元；
【3】国家科技部重点研发计划，新型高密度存储材料与器件，项目编号：2017YFB0405600；2017.07-2021.06；40万。
【4】天津市科技计划重点项目，定向碳纳米管电路垂直互连集成技术研究（10SYSYJC27700），2010.4-2013.3，50万元；
【5】教育部新世纪优秀人才支持计划，基于碳纳米管交叉电极阵列-叠层阻变存储器件关键技术研究，项目编号：NCET-11-1064，2012~2014，50万；
【6】天津市自然科学基金重点项目，二维硫化钼可控生长工艺优化及其场效应特性研究，项目编号：18JCZDJC30500；2018.04-2021.03，20万；
【7】天津市高等学校创新团队培养计划，项目编号：TD13-5024， 2018.1-2020.12，180万；
【8】天津市 “131”创新型人才团队，项目编号：201918，2021.4-2024.3，180万；
【9】天津市特聘教授专项基金，微纳器件设计及集成关键技术研究，2009.8-2013.7，50万；
【10】天津市学科领军人才基金，2013.04~2016.03，60万；

论文

[1]通讯作者；2D-MoS2/BMN Ceramic Hybrid Structure Flexible TFTs with Tunable Device Properties；ACS Applied Materials & Interfaces，2020,12（34）：38306-38313（I区SCI：NK3VM，IF=8.758，TOP期刊）
[2]通讯作者, Scalable synthesis of MoSe2 and its ambipolar behavior，ACS Applied Materials & Interfaces；2017, 9 (41):36009–36016（I 区 SCI: FK4YJ， IF=8.097，TOP期刊）
[3]通讯作者, Synthesis of Large Area Highly Crystalline Monolayer Molybdenum Disulfide with Tunable Grain Size in H2 Atmosphere, ACS Applied Materials & Interfaces, 2015， 7 (40), pp 22587–22593（I 区 SCI：CT7NJ， IF=7.145，TOP期刊）
[4]通讯作者，Controlled growth of bilayer-MoS2 films and MoS2-based field effect transistor (FET) performance optimization；Advanced Electronic Materials，2018，4（4）：1700524；（I区SCI：GC9KD，IF=6.312，TOP期刊）
[5]第一作者；Two Dimensional Hexagonal Boron Nitride (2D-hBN): Synthesis, Properties and Applications；Journal of Materials Chemistry C，2017，5（46）：11992~12022（I区SCI：FO1RC，IF=5.976，高被引论文，TOP期刊）
[6]通讯作者；High-performance photodetector and its optoelectronic mechanism of MoS2/WS2 vertical heterostructure，Applied Surface Science，2021，546：149074（I区SCI：QK4OH，IF=6.182，TOP期刊）
[7]通讯作者， High-performance FET arrays enabled by improved uniformity of wafer-scale MoS2 synthesized via thermal vapor sulfurization，Applied Sueface Science，2019，483：1136-1141（I区SCI： IC6TN，IF=5.155，TOP期刊）
[8]通讯作者，Effect of growth temperature on large surface area, ultrathin MoS2 nanofilms fabrication and photovoltaic efficiency，Solar Energy，2018，159（1）：88-96（II区SCI：FT2WS，IF=4.674）
[9]通讯作者；Tunable interlayer coupling and Schottky barrier in graphene and Janus MoSSe heterostructures by applying external field；Physical Chemistry Chemical Physics，2018,20(37):24109-24116（II区SCI：GW3BX，IF=3.906）
[10]通讯作者, In situ visualization and detection of surface potential variation of mono and multilayer MoS2 under different humidities using Kelvin probe force microscopy, Nanotechnology, 2017, 28：295705（Ⅱ区SCI ：EZ5NM，IF=3.573， TOP期刊）

专利

【1】 第一发明人，一种双向限流器件及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201410078446，授权日:2016.9.7
【2】 第一发明人，一种基于碳纳米管-纳米铜粉的环保型导电浆料，中国发明专利，授权专利号：ZL201310105012.6，授权日:2016.04.06
【3】 第一发明人，一种改善碳纳米管电特性的方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201210412922.4，授权日:2015.10.28
【4】 第一发明人，基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201310271571.4，授权日:2015.9.30
【5】 第一发明人，一种基于氮氧化铪低功耗阻变存储器及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201310104481.6，授权日:2015.2.18
【6】 第一发明人，一种化学机械抛光用纳米抛光液，中国发明专利，授权专利号： ZL201310105238.6，授权日:2014.10.15
【7】 第一发明人，基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201210440132.7，授权日: 2014.9.10
【8】 第一发明人，一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液，中国发明专利，授权专利号：ZL201110320251.4，授权日: 2014.3.19
【9】 第一发明人，一种用于氧化钒化学机械抛光的纳米抛光液及其应用，中国发明专利，授权专利号：ZL201010593331.2，授权日:2013.10.23
【10】第一发明人，一种磨料经过表面活性剂处理的水基切削液及其制备方法，中国发明专利，授权专利号：ZL201110119091.7，授权日:2013.10.23