科研项目

        韩叶梅，工学博士，毕业于天津大学，现任永利3044官网副教授，入选天津市131创新人才第二层次，并在微纳电子器件与系统团队（负责人：张楷亮）。
        曾在美国马里兰大学从事科研工作，参与磁电存储薄膜器件的研发，积累了信息功能薄膜器件的研发经验。长期深耕于磁电信息功能薄膜与器件技术领域，研究方向为新型磁电存储薄膜器件、铁电存储薄膜器件。
        主持和参与包括国家自然科学基金、天津市自然科学基金重点项目、天津市自然科学基金面上项目、天津市自然科学基金青年项目在内的多项纵向科研课题；同时参与环鑫科技有限公司委托的横向项目。
        在Appl. Phys. Lett.、Adv. Electron. Mater.等国际权威期刊发表SCI论文30余篇，已申请与授权国际/国内发明专利4项。
        致力于集成电路产业发展，积极推动集成电路领域创新人才培养。

科研项目

[1]国家自然科学基金（青年项目），BZT-BCT基复合薄膜磁电存储单元及其电致磁电效应研究，主持。
[2]天津市自然科学基金（面上项目）基于磁电耦合效应的超薄FeCo薄膜存储器件研究，主持。
[3]天津市应用基础与前沿技术研究计划（青年项目），电压开关控制的新型多铁性磁电存储单元的研究，主持。
[4]天津市高等学校科技发展基金计划项目，基于磁电效应的智能存储器元件研究，主持。
[5]天津市科技计划项目，基于氧化钒相变薄膜的RRAM构建及阻变特性，参加。
[6]863项目，微组装用高性能微波介质陶瓷与片式元件关键技术研究，参加。
[7]美国国家自然科学基金：Nanostructured Self-Organizing Magnetoelectrics Composites，参加。

论文

[1]Haixing Cao; Xianming Ren; Meibing Ma; Xin Yin; Yemei Han; Kai Hu; Zheng Sun; Fang Wang; Kailiang Zhang ; Multiferroic behavior of CoFe1.6Al0.4O4 spinel thin films, Materials Letters, 2022, 2022(314): 1-3
[2]Zhi Tao; Yemei Han; Xianming Ren; Hui Li; Fang Wang; Kailiang Zhang ; Bias voltage modula ted resistance states in small-area Fe70Ga30 films on ferroelectric Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3TiO3) films, Thin Solid Films, 2020, 2020(709): 1-4
[3]Yemei Han*, Zhichao Zhang, Fang Wang, Kailiang Zhang; Piezoelectric properties of bilayer ferroelectricthin films basedon (1-x)[Ba(Zr0.2Ti0.8)O3] –x(Ba0.7Ca0.3TiO3); Materials Letters; 177(2016)68–70
[4]Yemei Han*, Zhichao Zhang, Fang Wang, Wei Mi, Kailiang Zhang; Fabrication and characterization of a magnetoelectric memory cell of 50Ba(Zr0.2Ti0.8)O3–50Ba0.7Ca0.3TiO3/Fe70Ga30; Materials Letters; 2016，170：192–195
[5]Yemei Han*, Fei Che, Zhi Tao, Fang Wang, Kailiang Zhang; Electric field induced modulation of transport characteristics in multiferroic BZT–BCT/FeCo thin films; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; (2018) 29:4786–4790
[6]Zhi Tao, Fei Che, Yemei Han*, Fang Wang, Zhengchun Yang, Wen Qi, Ying Wu, Kailiang Zhang; Out-of-plane and In-plane piezoelectric behaviors of [Ba(Zr0.2Ti0.8) O3]–0.5(Ba0.7Ca0.3TiO3) thin films; Progress in Natural Science: Materials International; 27 (2017) 664–668
[7]Yemei Han*, Fang Wang,  Kailiang Zhang; A novel magnetoelectric memory cell based on bilayer ferroelectric films of (1-x)[Ba(Zr0.2Ti0.8)O3]– x(Ba0.7Ca0.3TiO3); Journal of Materials Science: Materials in Electronics,J Mater Sci: Mater Electron ; (2016) 27:7374–7378
[8]Yemei Han*, Fang Wang, Kailiang Zhang*, Jinshi Zhao, Yujie Yuan, Yinping Miao, Zhengchun Yang, Wei Mi, and Yupeng Xing; Electric Field Control of Magnetism in 0.7[Ba(Zr0.2Ti0.8)O3]–0.3(Ba0.7Ca0.3TiO3)–Fe70Ga30 Films; Nanoscience and Nanotechnology Letters; 2016, 9:1-3
[9]Magnetoelectric Relaxation in Rhombohedral LiNbO3-CoFe2O4 Yemei Han,Yueying Liu, Peter Zavalij, Lourdes Salamanca-Riba, Elizabeth Cantando, Richard Bergstrom Jr.,Lingxia Li, Manfred Wuttig Applied Physics Letters; 2012, 100: 262907, 1-3
[10]Resonance Magnetoelectric Effect in NaNbO3-NiFe2O4 Composite Yemei Han, Lingxia Li, Zhi Wang, Dong Guo, Mingming Zhang Journal of the American Ceramic Society 2013, 96:  358–360

专利

【1】韩叶梅，王芳，张楷亮，弭伟，曹荣荣，张志超，一种基于双层铁电薄膜的磁电存储单元及其制备方法， 201610119183.8，中国发明专利
【2】韩叶梅，王芳，张楷亮，曹荣荣，具有压电增强效应的基于BZT-BCT的双层铁电薄膜，201610118909.6，中国发明专利