个人简介

        郑磊，理学博士，毕业于天津大学，现任职于3044am永利官网—微电子科学与工程专业。研究方向为：面向人工智能的神经形态光电子器件及仿生功能研究、BCD功率集成电路特色工艺研究。
        曾在中芯国际（SMIC）和北京大学集成电路学院从事生产、科研工作，先后参与美国高通公司电源管理芯片04XJ以及ALGM公司SG.6.5车规级芯片的研发、CMOS-MEMS一体化集成项目，具备丰富的集成电路制造经验。
        目前在Adv. Funct. Mater.、Advanced Science、Chem. Eng. J., IEEE ELECTR DEVICE L.等国际权威期刊发表SCI论文20余篇。已申请与授权国际/国内发明专利12项，具备良好的科学研究能力。
        致力于半导体集成电路产业发展，积极推动新型半导体人才培养。

科研项目

1. 中芯国际-Fab7工作期间负责高通电源管理芯片（代号04XJ）研发并成功流片1万片；及ALGM公司SG.6.5车规芯片的技术研发，产品负责人。
2. 作为项目骨干参与国家自然基金面上项目，项目号22071172,基于Cu-Au纳米异质结构的晶相调控提升二氧化碳电还原的串联催化, 63万元；
3.参与北京大学国家级军工项目CMOS-MEMS一体化集成。

论文

[1]J. Ren, B. Rong, Lei. Zheng (通讯作者), Y. Hu, Y. Wang, Z. Wang, X. Chen, K. Zhang, L. Li, W. Hu, Interface Collaborative Strategy for High Mobility Organic Single-Crystal Field-Effect Transistors with Ideal Current-Voltage Curves. Adv. Funct. Mater., 2025, 35, 2412472 (Q1, IF=18.5)
[2]Y. Xie, J.Wei, Y. Hu, J. Ren, H. Guo, H. Lv, H. Geng, Z. Wang, S. Xu, F. Wang, Lei. Zheng (通讯作者), K. Zhang, L. Li, Enhanced Photodetection in Organic Semiconductor Single Crystal Sensitized by a Tailored Synergistic Absorption of Capsule-Shaped Chlorophyll Derived CQDs. Chem. Eng. J., 2024, 495, 153553. (Q1, IF=15.1)
[3]Lei. Zheng (通讯作者+第一作者), Z. Qin, Z. Liu, J. Li, Y. Hu, Y. Sun, J. Li, X. Zhang, K. Zhang, H. Dong, L. Li, W. Hu, Covalent Bond Torsion EnabledUnique Crystal-Phase Transformation of an Organic Semiconductor for Multicolor Light-Emitting Transistors, ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2024, 16, 36688. (Q1, IF=8.3)
[4]K. Zhang, F. Wang, Lei. Zheng (通讯作者), J. Wei,, Y. Hu, Y. Xie, H. Guo, F. Zhang, X. Lin, Z. Li, T. Ren. Z. Song and K. Zhang*, “Cage-confinement” Controlled Dimensionality Conversion of Bi2O2Se Crystals towards High-performance Phototransistors. Journal of Materials Chemistry C, 2024, 12, 12571. (Q1, IF=6.4)
[5]Yongxu Hu, Lei Zheng（共同一作）, Jie Li, Yinan Huang, Zhongwu Wang*, Xueying Lu , Li Yu, Shuguang Wang, Yajing Sun, Shuaishuai Ding, Deyang Ji, Yong Lei, Xiaosong Chen*, Liqiang Li* and Wenping Hu, Organic Phase-Change Memory Transistor Based on an Organic Semiconductor with Reversible Molecular Conformation Transition. Adv. Science. 2023, 10, 2205694. (Q1, IF=13.6)
[6]Lei Zheng, Jinfeng Li1, Ke Zhou, Xixia Yu, Xiaotao Zhang*, Huanli Dong* and Wenping Hu*, Molecular-scale integrated multi-functions for organic light emitting transistors. Nano Research, 2020, 13, 1976- 1981. (Q1, IF=9.9)
[7]Lei Zheng, Cong Wang , Xinzi Tian, Xiaotao Zhang , Huanli Dong and Hu Wenping*. A general route towards two- dimensional organiccrystal-based functional fibriform transistors for wearable electronic textiles. J. Mater. Chem. C, 2021, 9, 472-480. (Q1, IF=6.4)
[8]Lei Zheng, Jinfeng Li, Yu Wang, Xiong Gao, Kuo Yuan, Xixia Yu, Xiaochen Ren, Xiaotao Zhang* and Wenping Hu *, High-performance optical memory transistors based on a novel organic semiconductor with nanosprouts. Nanoscale, 2019, 11, 7117-7122. (Q1, IF=6.7)
[9]Lei Zheng, Qingxin Tang*, Xiaoli Zhao, Yanhong Tong and Yichun Liu, Organic single-crystal transistors and circuits on ultrathin Au wires with diameters 15μm via jigsaw puzzle method. IEEE ELECTR DEVICE L. 2016, 37, 775-777. (Q1, IF=4.9)
[10]Shuyu Li, Lei Zheng（共同一作）, Yion Chan , Bin Li , Yajing Sun , Lingjie Sun , Chun Zhen Xiaotao Zhang* and Wenping Hu, An organic cocrystal based on phthalocyanine with ideal packing mode towards high-performance ambipolar property. J. Mater. Chem. C, 2022, 10, 9596-9601. (Q1, IF=6.4)

专利

(1)郑磊，弓艳霞，高宇生，刘超，陆韵峰，LDMOS器件的形成方法, 中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202310019152.5
(2)郑磊，孙欣，弓艳霞，刘超，陆韵峰，半导体结构及其形成方法, 中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202211045387.3
(3)郑磊，米红星，孙亚龙，刘超，陆韵峰，接触孔的曝光方法, 中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202210604269.5
(4)郑磊，孙亚龙, 姜东旭，刘超，陆韵峰，芯片的清洗方法，中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202210911038.9
(5)郑磊，姜东旭，王盼盼，刘超，陆韵峰，半导体结构的形成方法, 中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202210792988.4
(6)郑磊，米红星，刘超，牛健，接触结构及其制作方法, 中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202210412971.1
(7)卢奕鹏，郑磊，杨冲，赵雷，键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备，北京大学，中国发明专利，专利申请号：202310246317.2
(8)卢奕鹏，郑磊，赵雷，杨冲，一种 PMUT 接收阵列的制备方法和系统， 北京大学，中国发明专利，专利申请号：202310729121.9
(9)胡文平，郑磊，张小涛，可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用, 天津大学，中国发明专利, 专利授权号：ZL201811476217.4
(10)米红星，王鹏，李洋，吴琼，郑磊， 半导体结构及其形成方法，中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202211148828.2
(11)米红星，李洋，吴琼，郑磊，陆韵峰，半导体结构及其形成方法, 中芯国际（PCT国际专利）, 国内申请号：202310121946.2  
(12)汤庆鑫，刘益春，童艳红，郑磊，一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其制备方法与应用, 东北师范大学，中国发明专利, 专利授权号：ZL201510669814.9